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APTM20DHM16T3G

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APTM20DHM16T3G

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Numero di parte APTM20DHM16T3G
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
Scheda dati
pacchetto SP3
ECAD
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Specifiche APTM20DHM16T3G

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSP3
ECAD
SeriePOWER MOS 7?
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C104A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7220pF @ 25V
Potenza - Max390W
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

APTM20DHM16T3G Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

APTM20DHM16T3G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that APTM20DHM16T3G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the APTM20DHM16T3G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including APTM20DHM16T3G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of APTM20DHM16T3G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the APTM20DHM16T3G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of APTM20DHM16T3G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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POWER MODULE - MOSFET - Bulk

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Microsemi Corporation

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3

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