Name: APTM120SK56T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120SK56T1G
Availability: InStock
Rating: 5 (157 reviews)

APTM120SK56T1G

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Numero di parte	APTM120SK56T1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Scheda dati	APTM120SK56T1G Scheda dati
pacchetto	SP1
ECAD
A magazzino	4.656 piece(s)
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Specifiche APTM120SK56T1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SP1
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7736pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	672 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SP1
Pacchetto / caso	SP1

Scheda tecnica APTM120SK56T1G

APTM120SK56T1G Packaging

APTM120SK56T1G FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTM120SK56T1G.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# APTM120SK56T1G-ND

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