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APTM120DDA57T3G

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APTM120DDA57T3G

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Numero di parte APTM120DDA57T3G
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Scheda dati

APTM120DDA57T3G Scheda dati

pacchetto SP3
ECAD
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Specifiche APTM120DDA57T3G

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSP3
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs187nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5155pF @ 25V
Potenza - Max390W
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

Scheda tecnica APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

APTM120DDA57T3G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that APTM120DDA57T3G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the APTM120DDA57T3G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including APTM120DDA57T3G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of APTM120DDA57T3G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the APTM120DDA57T3G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of APTM120DDA57T3G?
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