Name: APTM120DA30T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120DA30T1G
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

APTM120DA30T1G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APTM120DA30T1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Scheda dati
pacchetto	SP1
ECAD
A magazzino	6.496 piece(s)
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Specifiche APTM120DA30T1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SP1
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	31A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14560pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	657W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SP1
Pacchetto / caso	SP1

APTM120DA30T1G Packaging

APTM120DA30T1G FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 1.2KV 31A 12-Pin Case SP1 - Rail/Tube (Alt: APTM120DA30T1G)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APTM120DA30T1G

Microsemi Corporation

POWER MODULE - MOSFET - Bulk

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APTM120DA30T1G

D# APTM120DA30T1G-ND

Microchip Technology Inc

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

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Azione

APTM120DA30T1G

Microchip Technology Inc

RoHS: Not Compliant

pbFree: No

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APTM120DA30T1G

D# APTM120DA30T1G

Microchip Technology Inc

PM-MOSFET-7-SP1

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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Azione

APTM120DA30T1G

Microchip Technology Inc

DOR CC8078

RoHS: Compliant

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APTM120DA30T1G

D# MCHP00000051459

Microchip Technology Inc

DOR CC8078

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D# 78AH5455

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PM-MOSFET-7-SP1 SP1 Tube RoHS Compliant: Yes

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APTM120DA30T1G

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