Name: APTGT35DA120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35DA120D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (95 reviews)

APTGT35DA120D1G

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Numero di parte	APTGT35DA120D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT 1200V 55A 205W D1
Scheda dati	APTGT35DA120D1G Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
A magazzino	5.024 piece(s)
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Specifiche APTGT35DA120D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	55A
Potenza - Max	205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

Scheda tecnica APTGT35DA120D1G

APTGT35DA120D1G Packaging

APTGT35DA120D1G FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGT35DA120D1G.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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APTGT35DA120D1G

Microsemi Corporation

IGBT 1200V 55A 205W D1

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APTGT35DA120D1G

D# APTGT35DA120D1G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1

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APT

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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APTGT35DA120D1G

D# NS-APTGT35DA120D1G

Microsemi Corporation

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