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APTGT100SK170D1G

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Numero di parte APTGT100SK170D1G
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione IGBT 1700V 200A 695W D1
Scheda dati

APTGT100SK170D1G Scheda dati

pacchetto D1
ECAD
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Specifiche APTGT100SK170D1G

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchettoD1
ECAD
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max)200A
Potenza - Max695W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce8.5nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoD1
Pacchetto dispositivo fornitoreD1

Scheda tecnica APTGT100SK170D1G

APTGT100SK170D1G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

APTGT100SK170D1G FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of APTGT100SK170D1G?
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