Name: APTGF25H120T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGF25H120T3G
Availability: InStock
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APTGF25H120T3G

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Numero di parte	APTGF25H120T3G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
Scheda dati	APTGF25H120T3G Scheda dati
pacchetto	SP3
ECAD
A magazzino	4.352 piece(s)
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Specifiche APTGF25H120T3G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	SP3
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	NPT
Configurazione	Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	40A
Potenza - Max	208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 25A
Corrente - Limite del collettore (max)	250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	1.65nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP3
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3

Scheda tecnica APTGF25H120T3G

APTGF25H120T3G Packaging

APTGF25H120T3G FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APTGF25H120T3G

Microsemi Corporation

POWER IGBT TRANSISTOR

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APTGF25H120T3G

D# APTGF25H120T3G-ND

Microchip Technology Inc

IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APTGF25H120T3G

D# NS-APTGF25H120T3G

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

3766

Numero di parte

Produttore

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Azione

APTGF25H120T3G

D# APTGF25H120T3G

Microchip Technology Inc

POWER IGBT TRANSISTOR

RoHS: Compliant

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