Name: APTGF165A60D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGF165A60D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (95 reviews)

APTGF165A60D1G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APTGF165A60D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT NPT PHASE 600V 230A D1
Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
A magazzino	2.576 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APTGF165A60D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	NPT
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	230A
Potenza - Max	781W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max)	250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	9nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

APTGF165A60D1G Packaging

APTGF165A60D1G FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGF165A60D1G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Microsemi Corporation

POWER IGBT TRANSISTOR

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D# APTGF165A60D1G-ND

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IGBT MODULE 600V 230A 781W D1

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