Name: APT11N80KC3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT11N80KC3G
Availability: InStock
Rating: 5 (122 reviews)

APT11N80KC3G

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Numero di parte	APT11N80KC3G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	5.216 piece(s)
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Specifiche APT11N80KC3G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	CoolMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 680µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1585pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 7.1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220 [K]
Pacchetto / caso	TO-220-3

APT11N80KC3G Packaging

APT11N80KC3G FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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316

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