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AOT11N60L

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Numero di parte AOT11N60L
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Scheda dati

AOT11N60L Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche AOT11N60L

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1990pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs650 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica AOT11N60L

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Packing
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AOT11N60L FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that AOT11N60L is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the AOT11N60L. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including AOT11N60L on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of AOT11N60L products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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