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ALD212908PAL

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Numero di parte ALD212908PAL
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Scheda dati

ALD212908PAL Scheda dati

pacchetto 8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
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Specifiche ALD212908PAL

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
SerieEPAD?, Zero Threshold?
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max500mW
temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / caso8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

Scheda tecnica ALD212908PAL

ALD212908PAL Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

ALD212908PAL FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ALD212908PAL is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ALD212908PAL. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ALD212908PAL on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ALD212908PAL products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of ALD212908PAL?
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MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

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MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

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MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

RoHS: Compliant
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