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ALD114913PAL

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Numero di parte ALD114913PAL
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Scheda dati

ALD114913PAL Scheda dati

pacchetto 8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
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Specifiche ALD114913PAL

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
SerieEPAD?
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FETDepletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs500 Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id1.26V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / caso8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

Scheda tecnica ALD114913PAL

ALD114913PAL Packaging

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Sealing
Packing
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  • 3. Are the ALD114913PAL price and inventory displayed accurate?
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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

85
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D# 1014-1065-ND

Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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