Name: ALD111933PAL
Brand: Advanced Linear Devices Inc.
SKU: ALD111933PAL
Availability: InStock
Rating: 5 (73 reviews)

ALD111933PAL

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Numero di parte	ALD111933PAL
Produttore	Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Scheda dati	ALD111933PAL Scheda dati
pacchetto	8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
A magazzino	6.108 piece(s)
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Specifiche ALD111933PAL

Produttore	Advanced Linear Devices Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
Serie	EPAD?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.35V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDIP

Scheda tecnica ALD111933PAL

ALD111933PAL Packaging

ALD111933PAL FAQ

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MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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D# 1014-1051-ND

Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

RoHS: Compliant

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ALD111933PAL

D# 585-ALD111933PAL

Advanced Linear Devices Inc

MOSFET Dual N-Channel

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