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ALD1110ESAL

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Numero di parte ALD1110ESAL
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Scheda dati

ALD1110ESAL Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche ALD1110ESAL

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieEPAD?
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)10V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.01V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max600mW
temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

Scheda tecnica ALD1110ESAL

ALD1110ESAL Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

ALD1110ESAL FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ALD1110ESAL is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ALD1110ESAL. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ALD1110ESAL on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ALD1110ESAL products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the ALD1110ESAL price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ALD1110ESAL?
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MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

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