Name: ALD1110EPAL
Brand: Advanced Linear Devices Inc.
SKU: ALD1110EPAL
Availability: InStock
Rating: 5 (123 reviews)

ALD1110EPAL

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Numero di parte	ALD1110EPAL
Produttore	Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Scheda dati	ALD1110EPAL Scheda dati
pacchetto	8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
A magazzino	7.760 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche ALD1110EPAL

Produttore	Advanced Linear Devices Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
Serie	EPAD?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	10V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.01V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
Potenza - Max	600mW
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDIP

Scheda tecnica ALD1110EPAL

ALD1110EPAL Packaging

ALD1110EPAL FAQ

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2. How does Heisener guarantee that ALD1110EPAL is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the ALD1110EPAL price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the ALD1110EPAL we delivered, we will accept the replacement or return of the ALD1110EPAL only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

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