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ALD110908PAL

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Numero di parte ALD110908PAL
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Scheda dati

ALD110908PAL Scheda dati

pacchetto 8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
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Specifiche ALD110908PAL

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
SerieEPAD?
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs500 Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (Max) @ Id820mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / caso8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

Scheda tecnica ALD110908PAL

ALD110908PAL Packaging

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Sealing
Packing
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ALD110908PAL FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ALD110908PAL is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ALD110908PAL. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ALD110908PAL on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ALD110908PAL products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the ALD110908PAL price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ALD110908PAL?
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MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

45
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D# 1014-1040-ND

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MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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