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2SK879-Y(TE85L,F)

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Numero di parte 2SK879-Y(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione JFET N-CH 0.1W USM
Scheda dati
pacchetto SC-70, SOT-323
ECAD
A magazzino 25.206 piece(s)
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Specifiche 2SK879-Y(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - JFET
pacchettoSC-70, SOT-323
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)1.2mA @ 10V
Scarico corrente (Id) - max-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id400mV @ 100nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8.2pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max100mW
temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreUSM

2SK879-Y(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
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2SK879-Y(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK879-Y(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SK879-Y(TE85L,F). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SK879-Y(TE85L,F) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SK879-Y(TE85L,F) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2SK879-Y(TE85L,F) price and inventory displayed accurate?
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pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
2784
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JFET N-CH 0.1W USM

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