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2SK4124-1E

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Numero di parte 2SK4124-1E
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 20A
Scheda dati
pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
A magazzino 3.840 piece(s)
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Specifiche 2SK4124-1E

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 30V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs430 mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P-3L
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

2SK4124-1E Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

2SK4124-1E FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK4124-1E is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SK4124-1E. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SK4124-1E on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SK4124-1E products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2SK4124-1E price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2SK4124-1E?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of 2SK4124-1E.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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ON Semiconductor

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D# 2SK4124-1E-ND

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MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L

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