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2SK3811-ZP-E1-AY

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Numero di parte 2SK3811-ZP-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
Scheda dati

2SK3811-ZP-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche 2SK3811-ZP-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs260nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17700pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK3811-ZP-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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Renesas Electronics Corporation

SINGLE MOSFET, NCH 40V, MP-25ZP/TO-263 - Tape and Reel

0
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

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