Name: 2SK3565(Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK3565-Q-M
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

2SK3565(Q,M)

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Numero di parte	2SK3565(Q,M)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino	5.120 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche 2SK3565(Q,M)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie	��-MOSIV
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

2SK3565(Q,M) Packaging

2SK3565(Q,M) FAQ

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Produttore

Descrizione

Azione

2SK3565(Q,M)

D# 2SK3565(Q,M)

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: 2SK3565(Q,M))

RoHS: Compliant

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Produttore

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Azione

2SK3565(Q,M)

D# 2SK3565QM-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 900V 5A TO220SIS

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