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2SK3313(Q)

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Numero di parte 2SK3313(Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
Scheda dati

2SK3313(Q) Scheda dati

pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
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Specifiche 2SK3313(Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2040pF @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs620 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

Scheda tecnica 2SK3313(Q)

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2SK3313(Q) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK3313(Q) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SK3313(Q). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SK3313(Q) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SK3313(Q) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2SK3313(Q)?
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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

60
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D# 2SK3313(Q)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

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D# NS-2SK3313(Q)

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