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2SK3128(Q)

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Numero di parte 2SK3128(Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Scheda dati

2SK3128(Q) Scheda dati

pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche 2SK3128(Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(N)
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

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2SK3128(Q) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK3128(Q) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SK3128(Q). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SK3128(Q) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SK3128(Q) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2SK3128(Q)?
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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2SK3128(Q)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 30V 60A TO3P

0
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D# NS-2SK3128(Q)

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

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