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2SK3127(TE24L,Q)

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Numero di parte 2SK3127(TE24L,Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
Scheda dati

2SK3127(TE24L,Q) Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche 2SK3127(TE24L,Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SM
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica 2SK3127(TE24L,Q)

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2SK3127(TE24L,Q)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM

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