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2SK2989,T6F(J

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Numero di parte 2SK2989,T6F(J
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH
Scheda dati

2SK2989,T6F(J Scheda dati

pacchetto TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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Specifiche 2SK2989,T6F(J

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 Long Body

Scheda tecnica 2SK2989,T6F(J

2SK2989,T6F(J Packaging

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Packing
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D# 2SK2989T6F(J-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH TO92MOD

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