| Numero di parte | 2SK2916(F) |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.392 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 7A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N)IS |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK2916(F) |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK2916F |
Toshiba America Electronic Components |
RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK2916(F) D# 2SK2916(F)-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK2916F |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
55 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK2916(F) D# NS-2SK2916(F) |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
2276 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK2916F |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
65 |
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