| Numero di parte | 2SK1119(F) |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.768 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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ACM11DRXS | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156, -, - | Visualizza |
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RMM22DRUH | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.156, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1119(F) |
Toshiba America Electronic Components |
- Rail/Tube |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1119(F) D# 2SK1119(F)-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1119F |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1119(F) D# NS-2SK1119(F) |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
6266 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1119F |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
479 |
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