Name: 2SJ668(TE16L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SJ668-TE16L1-NQ
Availability: InStock
Rating: 5 (114 reviews)

2SJ668(TE16L1,NQ)

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Numero di parte	2SJ668(TE16L1,NQ)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Scheda dati	2SJ668(TE16L1,NQ) Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	6.096 piece(s)
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Specifiche 2SJ668(TE16L1,NQ)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	U-MOSIII
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PW-MOLD
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica 2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ) Packaging

2SJ668(TE16L1,NQ) FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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2SJ668(TE16L1,NQ)

D# 2SJ668(TE16L1,NQ)

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R (Alt: 2SJ668(TE16L1,NQ))

RoHS: Compliant

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2SJ668(TE16L1,NQ)

D# 2SJ668(TE16L1NQ)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

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Descrizione

Azione

2SJ668(TE16L1,NQ)

D# 1714335

Toshiba America Electronic Components

MOSFET P CH 5A 60V DPAK

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

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2SJ668TE16L1NQ

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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Toshiba America Electronic Components

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