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2SJ668(TE16L1,NQ)

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2SJ668(TE16L1,NQ)

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Numero di parte 2SJ668(TE16L1,NQ)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Scheda dati

2SJ668(TE16L1,NQ) Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche 2SJ668(TE16L1,NQ)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSIII
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs170 mOhm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePW-MOLD
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica 2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ) Packaging

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Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R (Alt: 2SJ668(TE16L1,NQ))

RoHS: Compliant
0
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2SJ668(TE16L1,NQ)

D# 2SJ668(TE16L1NQ)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2SJ668(TE16L1,NQ)

D# 1714335

Toshiba America Electronic Components

MOSFET P CH 5A 60V DPAK

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

27120
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