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2SD2695,T6F(M

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Numero di parte 2SD2695,T6F(M
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN 2A 60V TO226-3
Scheda dati

2SD2695,T6F(M Scheda dati

pacchetto TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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Specifiche 2SD2695,T6F(M

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max)10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 1A, 2V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione100MHz
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

Scheda tecnica 2SD2695,T6F(M

2SD2695,T6F(M Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SD2695,T6F(M is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SD2695,T6F(M. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SD2695,T6F(M on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SD2695,T6F(M products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2SD2695,T6F(M price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2SD2695T6F(M-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS NPN 2A 60V TO226-3

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