Name: 2SA1955FVBTPL3Z
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SA1955FVBTPL3Z
Availability: InStock
Rating: 5 (139 reviews)

2SA1955FVBTPL3Z

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Numero di parte	2SA1955FVBTPL3Z
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Scheda dati	2SA1955FVBTPL3Z Scheda dati
pacchetto	SOT-723
ECAD
A magazzino	90.282 piece(s)
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Specifiche 2SA1955FVBTPL3Z

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchetto	SOT-723
ECAD
Serie	-
Transistor Type	PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)	400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 10mA, 2V
Potenza - Max	100mW
Frequenza - Transizione	130MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore	VESM

Scheda tecnica 2SA1955FVBTPL3Z

2SA1955FVBTPL3Z Packaging

2SA1955FVBTPL3Z FAQ

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Numero di parte

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2SA1955FVBTPL3Z

Toshiba America Electronic Components

Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO

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Descrizione

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2SA1955FVBTPL3Z

D# 2SA1955FVBTPL3ZCT-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS PNP 12V 0.4A VESM

10780

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2SA1955FVBTPL3Z

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

9040

Numero di parte

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Descrizione

Azione

2SA1955FVBTPL3Z

D# NS-2SA1955FVBTPL3Z

Toshiba Semiconductor and Storage

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2SA1955FVBTPL3Z

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

8095

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