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2SA1761,T6F(M

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Numero di parte 2SA1761,T6F(M
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PNP 3A 50V TO226-3
Scheda dati

2SA1761,T6F(M Scheda dati

pacchetto TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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Specifiche 2SA1761,T6F(M

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
Serie-
Transistor TypePNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 75mA, 1.5A
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 2V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione100MHz
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

Scheda tecnica 2SA1761,T6F(M

2SA1761,T6F(M Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SA1761,T6F(M is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2SA1761T6F(M-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS PNP 3A 50V TO226-3

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