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2SA1020-O(TE6,F,M)

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Numero di parte 2SA1020-O(TE6,F,M)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Scheda dati

2SA1020-O(TE6,F,M) Scheda dati

pacchetto TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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Specifiche 2SA1020-O(TE6,F,M)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
Serie-
Transistor TypePNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max)1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione100MHz
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

Scheda tecnica 2SA1020-O(TE6,F,M)

2SA1020-O(TE6,F,M) Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SA1020-O(TE6,F,M) is from the original manufacturer or authorized agents?
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