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2N7002ET3G

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Numero di parte 2N7002ET3G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche 2N7002ET3G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C260mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.81nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds26.7pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 Ohm @ 240mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Sealing
Packing
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2N7002ET3G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2N7002ET3G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2N7002ET3G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2N7002ET3G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2N7002ET3G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2N7002ET3G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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