Name: 2N7000RLRAG
Brand: ON Semiconductor
SKU: 2N7000RLRAG
Availability: InStock
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2N7000RLRAG

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Numero di parte	2N7000RLRAG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Scheda dati
pacchetto	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
ECAD
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Specifiche 2N7000RLRAG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

2N7000RLRAG Packaging

2N7000RLRAG FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the 2N7000RLRAG we delivered, we will accept the replacement or return of the 2N7000RLRAG only when all of the below conditions are fulfilled:

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