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2N4391-E3

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Numero di parte 2N4391-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
Scheda dati

2N4391-E3 Scheda dati

pacchetto TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
ECAD
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Specifiche 2N4391-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - JFET
pacchettoTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)50mA @ 20V
Scarico corrente (Id) - max-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id4V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 20V
Resistenza - RDS (On)30 Ohm
Potenza - Max1.8W
temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AA (TO-18)

Scheda tecnica 2N4391-E3

2N4391-E3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

2N4391-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2N4391-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2N4391-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2N4391-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2N4391-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2N4391-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2N4391-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Vishay Intertechnologies

N CHANNEL JFET, -55V, TO-206AA, Breakdown Voltage Vbr:-55V, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:50mA, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:150mA, Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-10V, Transistor Type:RF JFET RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 200
Container: Bulk
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