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1SS307E,L3F

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1SS307E,L3F

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte 1SS307E,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione DIODE SW GP 80V 100MA ESC
Scheda dati
pacchetto SC-79, SOD-523
ECAD
A magazzino 80.424 piece(s)
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Specifiche 1SS307E,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSC-79, SOD-523
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)80V
Corrente - Rettificato medio (Io)100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3V @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10nA @ 80V
Capacità @ Vr, F6pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-79
Temperatura operativa - Giunzione150°C (Max)

1SS307E,L3F Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

1SS307E,L3F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 1SS307E,L3F is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 1SS307E,L3F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 1SS307E,L3F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 1SS307E,L3F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 1SS307E,L3F price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of 1SS307E,L3F fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 1SS307E,L3F?
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D# V72:2272_14140218

Toshiba America Electronic Components

Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

RoHS: Compliant
0
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1SS307EL3F

D# 1SS307E,L3F

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SWITCHING DIODE SINGLE LOW LEAKAGE CURRENT ESC, ID: 0.1A, VR: 80V - Tape and Reel (Alt: 1SS307E,L3F)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307E,L3F(T

D# C1S751201205117

Toshiba America Electronic Components

Other semiconductors

RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Cut Tape
5600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307E,L3F(B

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RoHS (ship within 1day) - D/C 2020

7950
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307E,L3F

D# 1SS307EL3FCT-ND

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DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

51033
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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8260
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307EL3FB

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

8800

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11000

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

52800
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1SS307E,L3F

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8000
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current

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80524
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8076
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1SS307EL3F

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

48095
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1SS307E,L3F

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1SS307EL3F

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Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE

pbFree: Pb-Free
0

1SS307E,L3F

Toshiba America Electronic Components

Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current

pbFree: Pb-Free
0
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1SS307E,L3F(T

D# 45662835

Toshiba America Electronic Components

Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

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