Name: 1N4448,113
Brand: NXP
SKU: 1N4448-113
Availability: InStock
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1N4448,113

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Numero di parte	1N4448,113
Produttore	NXP
Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Scheda dati	1N4448,113 Scheda dati
pacchetto	DO-204AH, DO-35, Axial
ECAD
A magazzino	240.000 piece(s)
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Specifiche 1N4448,113

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchetto	DO-204AH, DO-35, Axial
ECAD
Serie	-
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Rettificato medio (Io)	200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Velocità	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)	4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F	4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	ALF2
Temperatura operativa - Giunzione	200°C (Max)

Scheda tecnica 1N4448,113

1N4448,113 Packaging

1N4448,113 FAQ

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Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
1N4448113	NXP Semiconductors	OEM/CM ONLY	917
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1N4448113LEAD	NXP Semiconductors	OEM/CM ONLY	207
1N4448113NXPN	NXP Semiconductors	OEM/CM ONLY	313

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Descrizione

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1N4448-113

D# NS-1N4448-113

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Descrizione

Azione

1N4448113

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OEM/CM ONLY

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

1N4448,113

NXP Semiconductors

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

20000

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