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IPD30N06S4L23ATMA1

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Numero di parte IPD30N06S4L23ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Scheda dati

IPD30N06S4L23ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD30N06S4L23ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1560pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD30N06S4L23ATMA1

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IPD30N06S4L23ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N06S4L23ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD30N06S4L23ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD30N06S4L23ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD30N06S4L23ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD30N06S4L23ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

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RoHS: Compliant
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Infineon Technologies AG

IPD30N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant
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