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FF650R17IE4D_B2

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FF650R17IE4D_B2

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Numero di parte FF650R17IE4D_B2
Produttore Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Descrizione IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Scheda dati

FF650R17IE4D_B2 Scheda dati

pacchetto -
ECAD
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Specifiche FF650R17IE4D_B2

ProduttoreInfineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto-
ECAD
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)-
Corrente - Collector (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Limite del collettore (max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Ingresso-
Termistore NTC-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / caso-
Pacchetto dispositivo fornitore-

Scheda tecnica FF650R17IE4D_B2

FF650R17IE4D_B2 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FF650R17IE4D_B2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FF650R17IE4D_B2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FF650R17IE4D_B2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FF650R17IE4D_B2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FF650R17IE4D_B2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FF650R17IE4D_B2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FF650R17IE4D_B2?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the FF650R17IE4D_B2 we delivered, we will accept the replacement or return of the FF650R17IE4D_B2 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FF650R17IE4D_B2.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4DB2BOSA1

D# FF650R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies AG

INDUSTRY - Trays (Alt: FF650R17IE4DB2BOSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4D_B2

D# SP000621228

Infineon Technologies AG

Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 930A 10-pin PRIME2-1 (Alt: SP000621228)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4D_B2

Power Integrations

PLUG-AND-PLAY IGBT DRIVER

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4DB2BOSA1

D# FF650R17IE4DB2BOSA1-ND

Infineon Technologies AG

IGBT MODULE 1700V 4150W

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4D_B2

D# 1833598

Infineon Technologies AG

IGBT, H/B NTC, 1700V, 650A, PRIMEPA

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies AG

INDUSTRY

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4DB2

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2SP0320T2A0-FF650R17IE4D_B2

D# 869-T2A0-650R17IE4D

Power Integrations

Gate Drivers ONLY for Infineon FF650R17IE4D_B2 module

RoHS: Not Compliant
1
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4D_B2

D# 84R7187

Infineon Technologies AG

IGBT Module, DC Collector Current:650A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7kV, Power Dissipation Pd:4.15kW, Junction Temperature, Tj Max:150°C, IGBT Termination:Tab, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FF650R17IE4D_B2

D# 1833598

Infineon Technologies AG

IGBT, H/B NTC, 1700V, 650A, PRIMEPA

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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