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BUK9E04-30B,127

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK9E04-30B,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
A magazzino 2.368 piece(s)
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Specifiche BUK9E04-30B,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6526pF @ 25V
Vgs (massimo)±15V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E04-30B,127 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E04-30B,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BUK9E04-30B,127 price and inventory displayed accurate?
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Rochester Electronics LLC

PFET, 75A I(D), 30V, 0.0044OHM,

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Rochester Electronics LLC

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