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BUK761R8-30C,118

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BUK761R8-30C,118

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK761R8-30C,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK761R8-30C,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10349pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK761R8-30C,118 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK761R8-30C,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BUK761R8-30C,118. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BUK761R8-30C,118 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BUK761R8-30C,118 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH 30V 312A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Bulk (Alt: BUK761R8-30C,118)

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0
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D# 2156-BUK761R8-30C118-NXTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

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Rochester Electronics LLC

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965
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK761R8-30C - 312A, 30V, 1800ohm, N-Channel Power MOSFET

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